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J-GLOBAL ID:201702241551635282   整理番号:17A0759387

パルスUVレーザ照射による反応性スパッタNiO_x薄膜の改質【Powered by NICT】

Modification of reactively sputtered NiOx thin films by pulsed UV laser irradiation
著者 (4件):
資料名:
巻: 214  号:ページ: ROMBUNNO.201600414  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,酸化ニッケル(NiO_x)薄膜の構造的,電気的,および光学的性質に及ぼす紫外(UV)レーザ照射の影響,酸素を含む雰囲気中でニッケルの反応性スパッタリングにより堆積したについて報告した。伝導型はp型からn型に変えることができ,抵抗率レーザパルスの数が増加するにつれ減少し,その後再び増加することが分かった。蒸着したままの膜は多結晶で,レーザ照射は,膜が非晶質にした。Niリッチレーザ照射NiO_xにOリッチNiO_x堆積したままの膜から観察された遷移は,エレクトロクロミック,抵抗スイッチング,および他の応用に重要である。蒸着されたままとレーザ照射NiO_x膜のバンドギャップは分光偏光解析測定から得られ,レーザ照射によりわずかに増加した。も表面粗さが僅かに増加することが観察された。膜の構造と組成における加齢効果または不安定性も正常条件で観測した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  酸化物薄膜 
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