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J-GLOBAL ID：201702241572907538   整理番号：17A0233553

電気的に制御されたヘミン/G-四重鎖錯体に基づくバイオメモリーデバイス

A Biomemory Device Based on Electrically Controlled Hemin/G-Quadruplex Complex

著者 (6件)： CHEN Qi (Sogang Univ., Seoul, KOR) ,  CHUNG Yong-Ho (Hoseo Univ., Chungnam, KOR) ,  YOO Si-Youl (Sogang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Sang-Uk (Sogang Univ., Seoul, KOR) ,  MIN Junhong (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Jeong-Woo (Sogang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 8  号： 4  ページ： 767-774  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿で電気的に制御されたヘミン/G-四重鎖錯体の形成と変形に基づくバイオメモリーデバイスを初めて開発した。マルチファンクション情報処理(書き込みー読み出しー消去)を提案し,そしてライトワンス多重読み出し(WORM)バイオメモリーを製造した。WORMバイオメモリーは高い安定性,耐久性と信頼性を有するクローズドなシステムであり,そして電気信号のみを使用する。作製したバイオメモリーデバイスのチッププラットフォームはチップ上の他の電気的に制御されるシステムに接続出来そして協同することが可能である。四ビットバイオメモリーシステムは製造したバイオメモリーデバイスをカスケード接続することで簡単に形成された。従って,我々が提案したコンセプトはDNAベースのバイオコンピューティングデバイスに新しい方法を提供する。

シソーラス用語： *ヘミン ,  *立体配座 ,  *記憶素子 ,  記憶媒体 ,  安定性 ,  耐久性 ,  *信頼性 ,  *電気制御
準シソーラス用語： *G-四重鎖 ,  バイオメモリ ,  ライトワンス記録媒体 ,  読出専用メモリ ,  *WORM

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘミン ,  重鎖 ,  錯体 ,  メモリーデバイス