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J-GLOBAL ID：201702241614278450   整理番号：17A0445423

マグネトロンスパッタリングによるAZ91Dマグネシウム合金上の防食が導電性Hf/Si-3N_4多層被覆【Powered by NICT】

Anticorrosive yet conductive Hf/Si₃N₄ multilayer coatings on AZ91D magnesium alloy by magnetron sputtering

著者 (5件)： Zhang Dongfang (College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Qi Zhengbing (College of Materials Science and Engineering, Xiamen University of Technology, Xiamen 361005, China) ,  Wei Binbin (College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Wu Zhengtao (College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Wang Zhoucheng (College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 309  ページ： 12-20  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハフニウム単分子層とHf/Si_3N_4多層コーティングを,マグネトロンスパッタリングによりAZ91Dマグネシウム合金上に堆積した。これらの被覆の微細構造,電気伝導率および腐食挙動を調べた。Hf層の柱状成長はHf/Si_3N_4多層被覆で抑制されたことが分かった。多層構造は,残留応力の緩和と空隙率の減少をもたらした。微細構造におけるこれらの変化は,腐食媒体の浸透を阻害し基板へと腐食生成物の拡散速度を低下させた。10二分子層とHf/Si3N4多層被覆は電気化学系における2.798μA/cm~2の最低の腐食電流密度と48h塩水噴霧試験後に0.22%の最小腐食面積により明らかにされた最良の防食性能を示した。Si_3N_4下層の導入は,蒸着の間の影効果のために多層被覆の電気伝導率にはほとんど影響しない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  空隙率 ,  耐食性 ,  腐食電流 ,  腐食 ,  単分子層 ,  多層構造 ,  *導電性 ,  塩水噴霧試験 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  窒化ケイ素 ,  残留応力 ,  腐食生成物
準シソーラス用語： *多層コーティング ,  *AZ91D , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Mg合金 ,  Hf/Si-3N_4多層膜 ,  被覆 ,  Microstructure ,  耐食性 ,  導電性

分類 (2件)： 防食  (WB03040M) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： マグネトロンスパッタリング ,  AZ91Dマグネシウム合金 ,  防食 ,  導電性 ,  HF ,  Si ,  多層被覆