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J-GLOBAL ID：201702241622986018   整理番号：17A0055482

スケーリングとトラップはGaNH EMTにおけるカットオフ周波数の分解を誘導する【Powered by NICT】

Scaling and traps induced degradation of cutoff frequency in GaN HEMT

著者 (5件)： Ubochi B. C. (Electronic Systems Design Centre (ESDC), College of Engineering, Swansea University Bay Campus, Fabian Way, Swansea SA1 8EN, Wales, United Kingdom) ,  Faramehr S. (Electronic Systems Design Centre (ESDC), College of Engineering, Swansea University Bay Campus, Fabian Way, Swansea SA1 8EN, Wales, United Kingdom) ,  Ahmeda K. (Electronic Systems Design Centre (ESDC), College of Engineering, Swansea University Bay Campus, Fabian Way, Swansea SA1 8EN, Wales, United Kingdom) ,  Igic P. (Electronic Systems Design Centre (ESDC), College of Engineering, Swansea University Bay Campus, Fabian Way, Swansea SA1 8EN, Wales, United Kingdom) ,  Kalna K. (Electronic Systems Design Centre (ESDC), College of Engineering, Swansea University Bay Campus, Fabian Way, Swansea SA1 8EN, Wales, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 181-184  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドレインアクセス領域における電場誘起トラップ生成の影響は,産業標準TCAD,アトラスSilvaco[1]を用いて研究した。13.9(GHz)11.25(GHz)へのデバイスのカットオフ周波数の減少は,電場誘起トラップに関連していることを示した。エネルギー準位E_T=E_v+0.9(eV)の,GaN中の置換型炭素に対応すると濃度N_IT=5×10~17の(cm~ 3)でのアクセプタトラップは誘起トラップをモデル化するために用いた。垂直スケーリングは,短チャネル効果を低減するために使用されてきたが,これは還元されたイオン化表面ドナー[2]から生じる電流の減少をもたらすことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  エネルギー準位 ,  短チャネル効果 ,  電場 ,  *窒化ガリウム ,  イオン化 ,  炭素 ,  ドナー ,  モデリング ,  *遮断周波数
準シソーラス用語： アトラス ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： スケーリング ,  トラップ ,  EMT ,  カットオフ周波数 ,  分解 ,  誘導