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J-GLOBAL ID：201702241698450703   整理番号：17A0343105

XiXiの研究進展【JST・京大機械翻訳】

Recent progress in the study of stanene

著者 (2件)： Qian Dong (Department of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University) ,  Jia Jinfeng (Department of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University)
資料名： Kexue Tongbao  (Kexue Tongbao)
巻： 61  号： 30  ページ： 3252-3257  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2016A  ISSN： 0023-074X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： グラフェン研究の大きな成功は二次元結晶材料の研究領域の発展を推進し、Tan同族のIV族元素からなるグラフェン構造を有する二次元結晶材料は幅広い注目を集めており、その中でスズ元素からなるXiXi結晶はその優れた物理特性により研究の焦点の一つとなっている。理論計算により、XiXiは1種の大きなエネルギーギャップの量子子効果絶縁体であり、また二次元のトポロジー超伝導体に転化できることを表明した。XiXi結晶は,電子,スピン,高性能熱電,光電子デバイス,およびトポロジー量子計算において,重要な潜在的応用価値を持っている。本論文では、近年のXiXiの研究進展について概説する。本論文では,何結晶の特別な物理的性質を簡単に記述し,XiXiの理論的研究の最近の進歩を紹介し,XiXi結晶薄膜の調製法における最近の進歩を紹介し,最後に,将来の実験研究の方向と内容を予測した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  結晶 ,  *二次元 ,  グラフェン ,  量子計算 ,  薄膜 ,  エネルギーギャップ ,  スズ ,  絶縁材料 ,  絶縁体 ,  トポロジカル超伝導体
準シソーラス用語： 実験研究 ,  光電子デバイス ,  理論計算 ,  二次元結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： stanene ,  large band gap ,  quantum-spin-Hall-effect insulator ,  molecular beam epitaxy

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 研究 ,  進展