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J-GLOBAL ID：201702241785914430   整理番号：17A0214204

SiCパワーデバイスの優れた性能と自己加熱によるその限界【Powered by NICT】

Superior performance of SiC power devices and its limitation by self-heating

著者 (1件)： Terashima T. (Power Semiconductor Device Development Dept., Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 10.5.1-10.5.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近SiC-MOSFETのようなSiCパワーデバイスは,その優れた物理的性質のために次世代パワーデバイスとして劇的に改善された。非常に高いキャリア密度はその優れた特性の本質的な理由であるが,予測された性能を実現するための基本的な問題である。一つは自己加熱による定格電流密度の限界がある。もう一つは短絡事象での過渡自己加熱による破壊である。それらの熱限界下でのシリコン(Si)パワーデバイスと比較してSiC-MOSFETの性能を評価し,また予測された優れた性能を実現するための実質的な要求を明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  電流密度 ,  MOSFET ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： *自己加熱 ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiCパワーデバイス ,  自己加熱 ,  限界