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J-GLOBAL ID：201702242002061180   整理番号：17A0888858

マイクロフォトニックデバイスのためのカルコゲン化物ガラス膜に及ぼすガンマ線曝露の影響【Powered by NICT】

Effect of Gamma Exposure on Chalcogenide Glass Films for Microphotonic Devices

著者 (14件)： Novak Spencer ,  Singh Vivek ,  Monmeyran Corentin ,  Ingram Adam ,  Han Zhaohong ,  Lin Hongtao ,  Borodinov Nikolay ,  Patel Neil ,  Du Qingyang ,  Hu Juejun ,  Luzinov Igor ,  Golovchak Roman ,  Agarwal Anuradha ,  Richardson Kathleen
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： NSREC  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： As2Se3とGe23Sb7S70のバルクおよび熱蒸着した薄膜は,ガンマ線照射を受けると曝露後に周期的に特性化した。曝露の影響の違いはバルクと膜形態の間で観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *カルコゲン化物ガラス ,  γ線照射 ,  *γ線 ,  キャラクタリゼーション ,  真空蒸着

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (5件)： フォトニックデバイス ,  カルコゲン化物 ,  ガラス膜 ,  ガンマ線 ,  曝露