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J-GLOBAL ID：201702242318900103   整理番号：17A0444844

その場光電子放出分光法によるLa_2O_3/Si界面の電子構造【Powered by NICT】

Electronic structure of La₂O₃/Si interface by in situ photoemission spectroscopy

著者 (11件)： Ablat Abduleziz (School of Physical Science and Technology, Xinjiang University, Urumqi 830046, People’s Republic of China) ,  Mamat Mamatrishat (School of Physical Science and Technology, Xinjiang University, Urumqi 830046, People’s Republic of China) ,  Ghupur Yasin (School of Physical Science and Technology, Xinjiang University, Urumqi 830046, People’s Republic of China) ,  Aimidula Aimierding (School of Physical Science and Technology, Xinjiang University, Urumqi 830046, People’s Republic of China) ,  Wu Rong (School of Physical Science and Technology, Xinjiang University, Urumqi 830046, People’s Republic of China) ,  Ali Baqi Muhammad (School of Physical Science and Technology, Xinjiang University, Urumqi 830046, People’s Republic of China) ,  Gholam Turghunjan (School of Physical Science and Technology, Xinjiang University, Urumqi 830046, People’s Republic of China) ,  Wang Jiaou (Beijing Synchrotron Radiation Facility, Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Qian Haijie (Beijing Synchrotron Radiation Facility, Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Wu Rui (Beijing Synchrotron Radiation Facility, Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Ibrahim Kurash (Beijing Synchrotron Radiation Facility, Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 191  ページ： 97-100  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La_2O_3膜とSi基板との間の界面の研究は,膜成長過程中の界面変化を理解する目的で行った。清浄なシリコン基板上に形成したLa_2O_3/Si界面のSiの2s,2p,零一s光電子スペクトルの詳細な比較は,La-ケイ酸塩相は,膜堆積プロセスの間の界面で急速に形成することを示した。厚さ変化のLa_2O_3膜の詳細な分析は,膜層が増加すると,基板はSiO_Xの形成を防止するLaけい酸塩界面層で覆われたことを示した。さらに,膜厚がある値に達し,MOSFETトランジスタの製造におけるLa_2O_3の実用化に導く場合La_2O_3が生成した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜成長 ,  高速度 ,  *界面 ,  MOSFET ,  *ケイ素 ,  *ランタン ,  *電子構造 ,  トランジスタ ,  光電子スペクトル ,  ケイ酸塩 ,  *光電子放出 ,  膜厚
準シソーラス用語： 界面層 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： La_2O_3 ,  高k ,  構造 ,  X線技術 ,  インタフェイス

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光電子放出 ,  分光法 ,  Si ,  界面 ,  電子構造