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J-GLOBAL ID：201702242336007652   整理番号：17A0470317

六方晶GaN層とその依存性成長温度における立方晶GaNクラスタの研究【Powered by NICT】

Study of cubic GaN clusters in hexagonal GaN layers and their dependence with the growth temperature

著者 (6件)： Laifi J. (Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Faculte des Sciences de Monastir 5019, Universite de Monastir, Tunisia) ,  Chaaben N. (Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Faculte des Sciences de Monastir 5019, Universite de Monastir, Tunisia) ,  El Gmili Y. (CNRS, UMI 2958 Georgia Tech-CNRS, 57070 Metz, France) ,  Salvestrini J.P. (Universite de Lorraine, Centrale Supelec, LMOPS, EA4423, 57070 Metz, France) ,  Bchetnia A. (Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Faculte des Sciences de Monastir 5019, Universite de Monastir, Tunisia) ,  El Jani B. (Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Faculte des Sciences de Monastir 5019, Universite de Monastir, Tunisia)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 138  ページ： 8-14  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長温度を持つGaAs基板とその依存性上にMOVPEで成長した六方晶GaN中の立方晶相の介在物を,高分解能X線回折(HR XRD),走査電子顕微鏡(SEM),原子間力顕微鏡(A FM)と陰極線ルミネセンス(CL)により調べた。GaN層表面は3D粒構造を示すことが観察された。これら粒子の密度と形状は成長温度に大きく依存した。HR-XRD研究は六方晶GaN層中の立方晶GaNクラスタの存在を明らかにした。CLを用いて,立方晶包有物は,基板/エピ層界面に局在されていないが,膜を通して伝搬することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  *窒化ガリウム ,  X線回折 ,  MOCVD ,  原子間力顕微鏡 ,  包有物 ,  介在物 ,  陰極線ルミネセンス ,  界面 ,  *六方晶系 ,  三次元 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  高分解能X線回折 ,  *成長温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 立方晶GaN包有物 ,  陰極線ルミネセンス ,  GaAs(001) ,  成長温度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 六方晶 ,  GaN ,  依存性 ,  成長温度 ,  立方晶 ,  クラスタ ,  研究