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J-GLOBAL ID：201702242435126167   整理番号：17A0318560

イオンビーム層除去法と歳差電子回折によって評価したSi(111)基板上のAl_xGa_1xNヘテロ構造の断面応力分布【Powered by NICT】

Cross-sectional stress distribution in Al_xGa_1-xN heterostructure on Si(111) substrate characterized by ion beam layer removal method and precession electron diffraction

著者 (12件)： Reisinger M. (Department of Materials Physics, Montanuniversitaet Leoben, Leoben, Austria) ,  Zalesak J. (Department of Physical Metallurgy and Materials Testing, Montanuniversitaet Leoben, Leoben, Austria) ,  Daniel R. (Department of Physical Metallurgy and Materials Testing, Montanuniversitaet Leoben, Leoben, Austria) ,  Tomberger M. (Infineon Technologies Austria AG, Villach, Austria) ,  Weiss J.K. (AppFive LLC, Tempe, AZ, USA) ,  Darbal A.D. (AppFive LLC, Tempe, AZ, USA) ,  Petrenec M. (TESCAN Brno s.r.o., Libusina tr. 1, Brno, Czech Republic) ,  Zechner J. (KAI Kompetenzzentrum Automobil - u. Industrieelektronik GmbH, Villach, Austria) ,  Daumiller I. (Infineon Technologies Austria AG, Villach, Austria) ,  Ecker W. (Materials Center Leoben Forschung GmbH, Roseggerstrasse 12, Leoben, Austria) ,  Sartory B. (Materials Center Leoben Forschung GmbH, Roseggerstrasse 12, Leoben, Austria) ,  Keckes J. (Department of Materials Physics, Montanuniversitaet Leoben, Leoben, Austria)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 106  ページ： 476-481  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)基板上に金属-有機化学蒸着を用いて成長させた1.8μm厚のAlN/Al_0.25Ga_0 0.75N/GaN/Al_0.22Ga_0 0.78Nヘテロエピタキシャル構造で特徴づけられる残留応力深さ勾配。断面応力プロファイルはマイクロカンチレバーの逐次集束イオンビームミリングに基づく(i)イオンビーム層除去(ILR)法を用いた100nmのステップで評価した,(ii)各粉砕段階後の片持ち梁の曲げ評価上および(iii)有限要素シミュレーションを用いた応力プロファイル再計算。プロファイルは,AlN核形成層に約1.5GPaの引張応力,トップAl_0 22Ga_0 0.72Nサブ層内の100MPa以下Al_0 0.25Ga_0 0.75NとGaN層の引張圧縮と比較的小さな応力からの応力変化を示した。応力プロファイルはほぼ同じ応力挙動を示唆する歳差運動電子回折の結果と定性的に関連した。断面応力の大きさと変動は,熱膨張の格子定数と係数の不整合によってだけでなくAl_0 0.25Ga_0 0.75NとGaN層形成中の成長モード変化により解釈した。アプローチは,ILR法を用いたヘテロエピタキシャル構造における残留応力のナノスケール変動を解決する可能性を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 集束イオンビーム ,  不整合 ,  片持梁 ,  引張応力 ,  残留応力 ,  窒化ガリウム ,  *イオンビーム ,  格子定数 ,  窒化アルミニウム ,  *応力分布 ,  引張
準シソーラス用語： ナノスケール ,  有限要素シミュレーション ,  マイクロカンチレバー ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ヘテロ構造 ,  残留応力 ,  イオンビーム層除去法 ,  GaN ,  FIB ,  歳差電子回折

分類 (1件)： 機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオン ,  除去法 ,  歳差 ,  電子回折 ,  評価 ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  分布