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J-GLOBAL ID：201702242437439932   整理番号：17A0085671

積層センサ膜を用いて製作したイオン感応性電界効果トランジスタのセンサ特性に関する研究

Study on Sensing Properties of Ion-Sensitive Field-Effect-Transistors Fabricated With Stack Sensing Membranes

著者 (3件)： Lee Tzu Nien (Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Henry J. H. (Department of Electrical Engineering, National Chi Nan University, Nantou, Taiwan) ,  Hsieh Kuang Chien (Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 12  ページ： 1642-1645  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,3-アミノプロピルトリエトキシシラン/SiO₂センサ膜を積み重ねたイオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)からなるバイオセンサの特性を扱った。これらのデバイスは,単純な酸化物一層から成る従来のセンサと比べて,より高い感度,より低いヒステリシス,および低いドリフト特性を示した。その大きな性能改善によって,ISFETは将来のバイオセンサ応用にとって好ましい選択肢となった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  バイオセンサ ,  二酸化ケイ素 ,  多層膜 ,  単分子層 ,  脂肪族アミン ,  有機ケイ素化合物 ,  第一アミン
準シソーラス用語： *イオン感応性電界効果トランジスター ,  二酸化シリコン ,  積層膜 ,  自己集合単一層

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

物質索引 (1件)： 3-アミノプロピルトリエトキシシラン

タイトルに関連する用語 (3件)： 製作 ,  イオン感応性電界効果トランジスタ ,  研究