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J-GLOBAL ID:201702242558504954   整理番号:17A0099034

一段電磁ブレーキと立式電磁ブレーキ技術シミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Simulation Study of EMBr-Ruler Technology and V-EMBr Technology
著者 (3件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 1118-1121,1137  発行年: 2016年 
JST資料番号: C5017A  ISSN: 1005-3026  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ANSYS14.5とFLUNET6.3を計算プラットフォームとして、全段の電磁ブレーキ技術と立式電磁ブレーキ技術に対して、電磁ブレーキ過程の結晶磁気誘導強度と流れ場分布をシミュレーションした。計算結果は以下を示す。全体の電磁ブレーキと垂直電磁ブレーキ技術は,一定の有効磁場を生成することができ,磁気誘導強度は,主に磁極被覆領域に集中し,それは,非金属介在物と気泡の浮上分離を促進し,それによって,スラブの再構成を改善することができた。垂直電磁ブレーキは,より効果的に自由表面の変動を制御することができて,それは,自由表面の変動をより効果的に安定化することができ,そして,それは,全体の電磁ブレーキによって引き起こされた上昇流の制御力の欠点を克服することができた。1段の電磁ブレーキは下降流制御に対して少し良いが、全体の制動効果から見ると、立式電磁ブレーキ技術はより良く、全面かつ良好な冶金効果がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (5件):
分類 (1件):
分類
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鋳造法,鋳込 
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