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J-GLOBAL ID：201702242569137652   整理番号：17A0388813

高Curie温度強磁性のSi/MnGe量子ドット超格子のナノ工学【Powered by NICT】

Nanoengineering of an Si/MnGe quantum dot superlattice for high Curie-temperature ferromagnetism

著者 (10件)： Nie Tianxiao (Device Research Laboratory, Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, 90095, California, USA. [e-mail] [e-mail]) ,  Kou Xufeng ,  Tang Jianshi ,  Fan Yabin ,  Lee Shengwei ,  He Qinglin ,  Chang Li-Te ,  Murata Koichi ,  Gen Yin ,  Wang Kang L.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 9  ページ： 3086-3094  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温強磁性半導体ナノ構造に組み込むことができるかどうかをスピントロニクスデバイスの実現と応用は劇的に進めること,すなわち成熟したシリコン技術と両立する。ここでは,このようなシステムの観測-分子ビームエピタクシーにより成長させた成功裏に垂直方向に整列した量子ドットを持つSi/MnGe超格子を報告した。このようなユニークなシステムはSi/Geヘテロ構造のタイプIIのエネルギー帯構造の完全な利点があり,MnGe QD内部の空孔に捕獲され,正孔媒介強磁性を著しく強化することをすることができた。磁気測定は実際に超格子構造は,400K以上のCurie温度を示すことを見出した。さらに,零磁場冷却および磁場冷却曲線は,この系で強磁性化合物,Ge_8Mn_11(T_c~270K)とGe_3Mn_5(T_c~296K)などが存在しないことを確認した。磁気輸送測定は正及び顕著な異常H all効果への負から明確な磁気抵抗転移を明らかにした。このようなユニークなSi/MnGe超格子は量子閉じ込めにより強化された正孔の介在のために,強磁性,将来における室温Geベーススピン電界効果トランジスタを実現するために利用することができるを強化するための新段階を設定した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子閉込め ,  *強磁性 ,  *ゲルマニウム ,  *量子ドット ,  *ケイ素 ,  正孔 ,  *超格子 ,  磁気抵抗 ,  MBE成長 ,  *Curie温度 ,  磁気測定
準シソーラス用語： 磁気輸送 ,  磁場中冷却法 ,  エネルギー帯 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Curie温度 ,  強磁性 ,  Si ,  量子ドット超格子 ,  工学