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J-GLOBAL ID：201702242849948148   整理番号：17A0755635

スピンH all効果に駆動された磁気トンネル接合を用いた低貯蔵電力高速高密度不揮発性SRAM設計【Powered by NICT】

Low Store Power High-Speed High-Density Nonvolatile SRAM Design With Spin Hall Effect-Driven Magnetic Tunnel Junctions

著者 (4件)： Kang Wang (Fert Beijing Institute, BDBC, School of Computer Science and Engineering, Beihang Univeristy, Beijing, China) ,  Lv Weifeng (Fert Beijing Institute, BDBC, School of Computer Science and Engineering, Beihang Univeristy, Beijing, China) ,  Zhang Youguang (Fert Beijing Institute, BDBC, and School of Electronic and Information Engineering, Beihang Univeristy, Beijing, China) ,  Zhao Weisheng (Fert Beijing Institute, BDBC, and School of Electronic and Information Engineering, Beihang Univeristy, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 16  号： 1  ページ： 148-154  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 漏れ電流による静的電力CMOS技術パワーゲーティング技術,不揮発性データ保持回路を採用したにとって重要な課題になっているので,例えば,不揮発性静的ランダムアクセスメモリ(NV SRAM)はこの問題を効率的に解くために期待されている。不揮発性SRAMの重要な特徴の一つは,システムがスタンバイパワーオフ状態にあるとき,抵抗RAM,相変化メモリ,磁気トンネル接合(MTJ)のような不揮発性デバイスを利用する実行時データを貯蔵することである。それらの中で,MTJ型不揮発性SRAMは,高速,低電力,高信頼性応用における最も可能性のある候補として広く考えられている,MTJデバイスの有利な特徴のおかげで,高速データ貯蔵/回復操作,低臨界書き込み電流密度,および優れた耐久性である。本論文では,スピンH all効果(SHE)駆動MTJ素子を持つ新しい不揮発性SRAM設計を提案した。特に,二実施例は,MTJデバイスの磁気異方性特性(すなわち,面内あるいは垂直)に基づいて設計した。以前に開発したSHE MTJモデルとCMOS設計キットを用いて,40nm技術ノードで実証された提案した不揮発性SRAM設計の回路動作と性能。シミュレーション結果は,提案した不揮発性SRAM設計は,電力,遅延,面積の点で性能向上を達成し,従来の設計と比較してことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *非揮発性 ,  シミュレーション ,  耐久性 ,  *SRAM ,  データ蓄積 ,  *電力 ,  *高速度 ,  漏れ電流 ,  電流密度
準シソーラス用語： 高信頼性 ,  相変化メモリ ,  パワーゲーティング ,  CMOS技術 ,  *高密度 ,  *磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： スピン ,  ALL ,  磁気トンネル接合 ,  貯蔵 ,  高密度 ,  不揮発性 ,  SRAM ,  設計