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J-GLOBAL ID:201702242859833690   整理番号:17A0370187

エピタキシャル成長と自立n型ウエハから作製した効率20%の太陽電池【Powered by NICT】

20% efficient solar cells fabricated from epitaxially grown and freestanding n-type wafers
著者 (8件):
資料名:
巻: 159  ページ: 570-575  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ウエハの品質とコストは,高効率,低価格太陽電池のための重要な前提条件である。標準ウエハダイシング工程,かなりの量の材料(40%まで),切削屑の損失を用いて作製した。切り口損失コストがかかるが,標準技術では避けられない。ウエハ厚さが減少するにつれて,これらの損失はより顕著になった。代替アプローチを用いて,後続の厚いエピタキシャル成長のための多孔質シリコンから作製した薄いシード層の上に犠牲剥離層を適用することにより,いわゆるEpiWafersを作製でき,切り口の損失を避けることができる。EpiWafer生産プロセスの利点は,ウエハの厚さは要求,例えば50μmと250μm間に応じて選択した意図的にできることである。ハイスループット多孔質化ツールと化学気相蒸着反応器が使用されるなら,ウエハ生産コストは標準ウエハ技術よりも低かった。本研究では,大気圧化学蒸着反応器内のエピタキシャル成長させたn型ウエハを用いた太陽電池を提示した。処理されたウエハは,n型ドーピング密度3×10~16cm~ 3および150μmの平均厚さを特徴とする。最良EpiWafer電池は657mVの開回路電圧,短絡回路電流39.6mA~2および77%の曲線因子に達した。積層欠陥と細胞プロセス問題による損失の詳細な解析を提示した。20%の得られたエネルギー変換効率は,この材料の高効率の可能性を証明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
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