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J-GLOBAL ID：201702242900899577   整理番号：17A0885712

ベース広がり抵抗による回避の特性劣化へのSiC B JTのための設計基準【Powered by NICT】

Design Criterion for SiC BJTs to Avoid ON-Characteristics Degradation Due to Base Spreading Resistance

著者 (3件)： Asada Satoshi (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Suda Jun (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 2086-2091  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いベース層をもつSiCバイポーラ接合トランジスタ(BJT)のオン抵抗(電圧)である電圧ブロッキングコレクタ層の抵抗よりも大きい傾向があることが経験的に知られている。本論文では,高いベース広がり抵抗に焦点を当てての特性の分解及び塩基接触下に存在する寄生ダイオードの機構を説明した。SiCB JTの等価回路モデルを提案し,SPICEシミュレーションを行った。さらに,TCADシミュレーションはモデルの妥当性を確認した。モデルに基づいて,オン抵抗の望ましくない増加を回避するための設計基準を提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： モデル ,  バイポーラトランジスタ ,  *広がり抵抗 ,  オン抵抗 ,  シミュレーション ,  *炭化ケイ素 ,  電圧 ,  *設計基準 ,  ダイオード
準シソーラス用語： TCAD ,  等価回路モデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 広がり抵抗 ,  回避 ,  特性劣化 ,  SiC ,  設計基準