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J-GLOBAL ID：201702242933883941   整理番号：17A0470893

Li_10GeP_2S_12結晶への(Li_2S)_5(GeS_2)(P_2S_5)ガラスからの転移に及ぼすLiイオン伝導率における有質量改善の構造的起源【Powered by NICT】

Structural origin of massive improvement in Li-ion conductivity on transition from (Li₂S)₅(GeS₂)(P₂S₅) glass to Li₁₀GeP₂S₁₂ crystal

著者 (7件)： Mori Kazuhiro (Research Reactor Institute, Kyoto University, 2-1010 Asashiro-Nishi, Kumatori-cho, Sennan-gun, Osaka 590-0494, Japan) ,  Kasai Takuya (Research Reactor Institute, Kyoto University, 2-1010 Asashiro-Nishi, Kumatori-cho, Sennan-gun, Osaka 590-0494, Japan) ,  Iwase Kenji (Department of Materials Science and Engineering, Ibaraki University, 4-12-1 Nakanarusawa, Hitachi, Ibaraki 316-8511, Japan) ,  Fujisaki Fumika (Office of Society-Academia Collaboration for Innovation, Kyoto University, Gokasho, Uji, Kyoto 611-0011, Japan) ,  Onodera Yohei (Research Reactor Institute, Kyoto University, 2-1010 Asashiro-Nishi, Kumatori-cho, Sennan-gun, Osaka 590-0494, Japan) ,  Fukunaga Toshiharu (Research Reactor Institute, Kyoto University, 2-1010 Asashiro-Nishi, Kumatori-cho, Sennan-gun, Osaka 590-0494, Japan) ,  Fukunaga Toshiharu (Office of Society-Academia Collaboration for Innovation, Kyoto University, Gokasho, Uji, Kyoto 611-0011, Japan)
資料名： Solid State Ionics  (Solid State Ionics)
巻： 301  ページ： 163-169  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0096B  ISSN： 0167-2738  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リチウムイオン導体のためのシンクロトロンX線回折と飛行時間中性子回折実験,(Li_2S)5(GeS_2)(P_2S_5)ガラス,メカニカルアロイングにより作製したを行った。三次元構造と(Li_2S)5(GeS_2)(P_2S_5)ガラス中のLiイオンの伝導経路を,逆モンテカルロ(RMC)モデリングと結合原子価総和(B VS)法を組み合わせることにより可視化した。電気化学的性質が特性化された;材料は300Kで1.5×10~ 5cmと55kJ/molの活性化エネルギー,E a,の電気伝導率σ_300K,を示した。添加では,最先端のリチウムイオン伝導体,Li_10GeP_2S_12結晶(σ_300K=1.2×10~ 2cmとE,24kJ/mol),は803Kで(Li_2S)5(GeS_2)(P_2S_5)ガラスをエージングにより得られることが分かった。Li_10GeP_2S_12結晶と(Li_2S)5(GeS_2)(P_2S_5)ガラス中のLiイオンの伝導経路を比較することにより,(Li_2S)5(GeS_2)(P_2S_5)ガラス(ΔV(Li)max=0.13)では,Liイオンの最大BV不整合値,ΔV(Li)maxたLi_10GeP_2S_12結晶(ΔV(Li)max=0.03)のそれより有意に大きいことを見出した。これは伝導経路に沿って移動するLiイオンに対するポテンシャル障壁,Eは(Li_2S)5(GeS_2)(P_2S_5)ガラスからの転移に及ぼす低下Li_10GeP_2S_12結晶することを示した。,ΔV(Li)maxの低下は非晶質-結晶質転移中のσ_300KとE Aにおける顕著な改良の構造的起源の理由であることを提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ガラス ,  電気伝導率 ,  モンテカルロ法 ,  ポテンシャル障壁 ,  *リチウム ,  モデリング ,  キャラクタリゼーション ,  原子価 ,  中性子回折 ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： イオン伝導体 ,  電気化学的特性 ,  三次元構造 ,  リチウムイオン ,  *イオン伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： リチウムイオン伝導体 ,  非晶質構造 ,  RMCモデリング

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 結晶 ,  ガラス ,  Li ,  イオン伝導率 ,  質量 ,  起源