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J-GLOBAL ID：201702242935010380   整理番号：17A0751344

多結晶強誘電HfO_2における負性容量の直接観察【Powered by NICT】

Direct Observation of Negative Capacitance in Polycrystalline Ferroelectric HfO₂

著者 (11件)： Hoffmann Michael (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany) ,  Hoffmann Michael (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94270, USA) ,  Pesic Milan (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany) ,  Chatterjee Korok (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94270, USA) ,  Khan Asif I. (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94270, USA) ,  Salahuddin Sayeef (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94270, USA) ,  Salahuddin Sayeef (Material Science Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94270, USA) ,  Slesazeck Stefan (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany) ,  Schroeder Uwe (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany) ,  Mikolajick Thomas (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany) ,  Mikolajick Thomas (Chair of Nanoelectronic Materials, TU Dresden, 01069, Dresden, Germany)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 47  ページ： 8643-8649  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールトランジスタの電力消費をさらに低減するために,電子のBoltzmann分布によってもたらされた基本的限界は克服されなければならない。強誘電体ゲート絶縁体における負の静電容量の安定化は,トランジスタのゲート電圧を高めることにより,これを達成するために用いることができる。これまで,ポリマとペロブスカイト強誘電体,半導体製造と両立しないで直接観察のみである負の静電容量。最近発見されたHfO_2~ベース強誘電体,他方では,高いスケーラビリティと半導体プロセスの適合性のゆえに,この応用のために理想的に適している。,初めて多結晶HfO_2~ベース薄膜における負性容量の直接測定を報告した。電荷過渡現象により電圧低下は外部抵抗器と直列に18と27nmの薄いGd:HfO_2キャパシタで観察された。多粒子Landau-Khalatnikovモデルは核形成律速スイッチング動力学を持つ多結晶強誘電体におけるこの過渡挙動を成功裏にシミュレートするために開発した。そのような材料における負性容量のための構造的必要条件を検討した。これらの結果は,負の静電容量効果はエピタキシャル強誘電体に限定され,応用可能性の範囲を拡大しないことを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エピタクシー ,  抵抗器 ,  半導体プロセス ,  強誘電体 ,  スイッチング ,  電荷 ,  *多結晶 ,  コンデンサ ,  ゲート絶縁膜 ,  過渡現象 ,  重合体 ,  電力消費 ,  静電容量 ,  電圧降下 ,  トランジスタ

著者キーワード (4件)： ferroelectrics ,  酸化ハフニウム ,  負性静電容量 ,  多結晶

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 多結晶 ,  負性容量