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J-GLOBAL ID：201702243015582977   整理番号：17A0303659

SIC MOSFETの静的性能とパラメータの温度依存性の実験的解析とSI IGBTとの比較【JST・京大機械翻訳】

Temperature Dependency Characteristic of SiC MOSFET Static Performance Based on Comparative Analysis with Si IGBT

著者 (5件)： Ma Qing (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University) ,  Ran Li (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University) ,  Hu Borong (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University) ,  Zeng Zheng (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University) ,  Liu Qingyang (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University)
資料名： Dianyuan Xuebao  (Dianyuan Xuebao)
巻： 14  号： 6  ページ： 67-79  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2890A  ISSN： 2095-2805  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SI C(TSV CARBIDE)MOSFETは新型のパワーエレクトロニクスデバイスとして、SI IGBTの異なる電熱特性を持ち、しかもその静的特性は広い温度範囲内での変化特性は明確でない。SI C MOSFETを研究対象として、デバイスの動作原理から着手し、SI IGBTと比較し、その静的特性と寄生パラメータが温度に与える影響を分析した。閾値電圧,オン抵抗,漏れ電流,出力特性および寄生パラメータを含む,いくつかのパラメータを,-55°Cから165°Cまで正確に測定し,そして,実験結果は,理論解析と一致した。実験結果に基づいて,性能パラメータの温度感受性を解析した。SI C MOSFETの静的性能とパラメータは温度と強く相関した。SI IGBTと比較して,温度依存性はより顕著であり,デバイスの接合温度測定とSI C MOSFET電力系統の状態監視のための理論的基礎と実験的基礎を提供することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気加熱 ,  *温度依存性 ,  静特性 ,  オン抵抗 ,  温度感受性 ,  漏れ電流 ,  *IGBT ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 状態監視 ,  接合温度 ,  理論解析 ,  出力特性 ,  閾値電圧 ,  動作原理 ,  温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： SiC MOSFET ,  IGBT ,  static characteristics ,  parasitic parameter ,  junction temperature ,  condition monitoring

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  MOSFET ,  パラメータ ,  温度依存性 ,  実験的解析 ,  Si ,  IGBT