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J-GLOBAL ID：201702243141545564   整理番号：17A0005105

スパッタ成長のBi-TeおよびGeTe/Bi-Te超格子膜の物性

Physical properties of sputter grown Bi-Te and GeTe/Bi-Te superlattice films

著者 (7件)： SAITO Yuta (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  MITROFANOV Kirill (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  MAKINO Kotaro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  FONS Paul (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  KOLOBOV Alexander V. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  MIYATA Noriyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  TOMINAGA Junji (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
資料名： Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science  (Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science)
巻： 28th  ページ： 50-51  発行年： 2016年 
JST資料番号： L1450A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  テルル化物 ,  *スパッタ蒸着 ,  *超格子 ,  薄膜成長 ,  *ビスマス化合物 ,  *半導体薄膜 ,  物理的性質 ,  絶縁材料 ,  スピン-軌道相互作用 ,  スイッチング ,  Kerr効果 ,  不揮発性メモリ ,  磁化反転 ,  磁気抵抗 ,  *相転移 ,  絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *GeTe

分類 (2件)： 固相転移  (BL04020G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタ ,  成長 ,  Bi ,  Te ,  GeTe ,  超格子 ,  物性