文献

J-GLOBAL ID：201702243152821306   整理番号：17A0214346

Si/Ge量子ドットの作製と特性評価【Powered by NICT】

Processing and characterization of Si/Ge quantum dots

著者 (4件)： Miyazaki S. (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Makihara K. (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Ohta A. (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Ikeda M. (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 33.2.1-33.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高選択CVDを制御した熱的に成長したSiO_2上のGeコアを持つSi量子ドットの高密度形成を実証した。ルミネセンス測定により,Geコアに特徴的なキャリア閉込めと再結合特性を報告した。特性に及ぼすGeコアへのPデルタドーピングの影響を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： δドーピング ,  *キャラクタリゼーション ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  再結合 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： キャリア閉込め ,  ルミネセンス測定 ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  量子ドット ,  作製 ,  特性評価