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J-GLOBAL ID：201702243260220064   整理番号：17A0214332

SRB上のSiGe pMOSFETの負バイアス温度不安定性(NBTI)に及ぼすアクセプタ様トラップ効果【Powered by NICT】

Acceptor-like trap effect on negative-bias temperature instability (NBTI) of SiGe pMOSFETs on SRB

著者 (12件)： Jiao Guangfan (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Toledano-Luque Maria (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Nam Kab-Jin (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Toshiro Nakanishi (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Lee Seung-Hun (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Kim Jin-Soak (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Kauerauf Thomas (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Chung EunAe (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Bae Dong-il (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Bae Geumjong (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Kim Dong-Won (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea) ,  Hwang Kihyun (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 31.2.1-31.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,負に帯電したトラップに起因する酸化物電場(Eox)還元は負のゲートバイアス温度不安定性(NBTI)ストレスに対するSiGe pMOSFETのロバスト性を説明するために提案される。SiGe価電子帯(E_v)に近い負に帯電したアクセプタ様トラップの高密度E_oxを低下させ,固定した過駆動における負バイアス温度不安定性劣化を減少させた。トラップ工学は攻撃的信頼性要求を満たすために利用できることを実証した。さらに,Si対応物と比較してSiGe pMOSFETにおける信頼性問題ではないことを予測した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  酸化物 ,  価電子バンド ,  電場 ,  信頼性 ,  *アクセプタ ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 高密度 ,  *バイアス温度不安定性 ,  *NBTI ,  *pMOSFET ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  pMOSFET ,  負バイアス温度不安定性 ,  NBTI ,  アクセプタ ,  トラップ