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J-GLOBAL ID：201702243405562787   整理番号：17A0181058

通信波長で発光するウルツ鉱型InPナノワイヤにおけるInAs単一量子ドット【Powered by NICT】

InAs single quantum dots in Wurtzite InP nanowires emitting at telecommunication wavelengths

著者 (3件)： Haffouz S. (National Research Council Canada, Ottawa, Ontario, Canada) ,  Dalacu D. (National Research Council Canada, Ottawa, Ontario, Canada) ,  Poole P. J. (National Research Council Canada, Ottawa, Ontario, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IPC  ページ： 398-399  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤに埋め込まれた量子ドット(QDs)は,フォトニック量子技術の非常に興味がある。以前にナノワイヤにおける量子ドットは,量子計算,量子暗号と量子光学における応用に必要であることを単一光子[1]とエンタングル光子対[2]のための効率的な資源になり得ることを報告した。これら後者の応用では,源はナノスケールレベルで高対称性,高輝度,高抽出効率,高忠実度エンタングルメントと正確な位置制御などの条件に適合する必要がある。選択領域気液固(VLS)成長プロセスは高収率と均一性[3]ナノワイヤを合成するための非常に適切な技術である。さらに,これらQDベース源の光学的および電子的特性をナノワイヤ寸法,ドットサイズ,および組成を操作することによって制御可能である。は890~970nmの範囲で発光するであることをInPナノワイヤにおける高光学品質単一InAsP量子ドットを生成するこれまで非常に成功している。発光波長はInAsPドット約25%でヒ素の割合によって制御される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子光学 ,  *量子ドット ,  *波長 ,  位置制御 ,  *ヒ化インジウム ,  量子計算 ,  *リン化インジウム ,  量子暗号 ,  *ナノワイヤ ,  *発光 ,  対称性 ,  量子もつれ ,  光子対 ,  単一光子 ,  *単一量子ドット

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 通信波 ,  ウルツ鉱 ,  InP ,  ナノワイヤ ,  InAs ,  単一量子ドット