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J-GLOBAL ID：201702243558318824   整理番号：17A0759449

Si基板上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造におけるAlGaNバッファ層のAl含有量の影響【Powered by NICT】

Influence of the Al content of the AlGaN buffer layer in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structures on a Si substrate

著者 (8件)： Yamaoka Yuya (Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan) ,  Yamaoka Yuya (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-chou, Nagoya, Aichi 466-8555, Japan) ,  Kakamu Ken (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-chou, Nagoya, Aichi 466-8555, Japan) ,  Ubukata Akinori (Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan) ,  Yano Yoshiki (Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan) ,  Tabuchi Toshiya (Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan) ,  Matsumoto Koh (Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan) ,  Egawa Takashi (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-chou, Nagoya, Aichi 466-8555, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600618  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に初期AlN核形成層,AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)上のAlGaNバッファ層中のAl含有量の影響を調べた。AlGaN層中のAl含有量の低減AlGaN層の表面ピット密度を減少させ,AlGaN/AlN/Si構造の漏れ電流を増加させたが,AlGaN層の結晶品質はAl含有量によって変化しなかった。GaN層の転位密度とH EMT構造の二次元電子ガス特性は,異なるAl含有量のAlGaNバッファ層でほぼ同じであった。しかし,垂直方向絶縁破壊電圧(VDBV)は他のHEMT構造と比較して0.760のAl含有量で減少した。さらに,SLS層の変動は0.760のAl含有量で観察された。HEMT構造の反りと亀裂は0.558のAl含有量で最小化した。これらの結果に基づいて,HEMT構造のVDBVはAlGaNバッファ層のVDBVと相関していない。しかし,HEMT構造のVDBVはAlGaNバッファ層の表面ピット密度に影響される。さらに,Si基板上のHEMTの反りは,AlGaNバッファ層のAl含有量によって制御することができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *バッファ層 ,  亀裂 ,  転位密度 ,  漏れ電流 ,  *HEMT ,  二次元電子ガス ,  *アルミニウム
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  結晶品質 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *AlGaN/GaN ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN ,  破壊電圧 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  シリコン ,  基板

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  バッファ層 ,  Al含有量