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J-GLOBAL ID：201702243561508112   整理番号：17A0664832

graphene/BNジグザググラフェンナノリボンヘテロ接合ほう素空格子点増強スピンフィルタリングの設計【Powered by NICT】

Design of boron vacancy enhanced spin filtering graphene/BN zigzag nanoribbon heterojunctions

著者 (7件)： Jiang Xiaohui (Collage of Physics and Engineering, Qufu Normal University, Qufu 273165, China. [e-mail]) ,  Zou Dongqing ,  Cui Bin ,  Fang Changfeng ,  Liu Wen ,  Kong Xiangmu ,  Liu Desheng
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 12  ページ： 7368-7374  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほう素空格子点を持つジグザググラフェンナノリボン(ZGNR)と窒化ホウ素ナノリボン(ZBNNR)ヘテロ接合のスピン分極電子輸送特性を,非平衡Green関数と密度汎関数理論を用いて調べ,特に外部電場中である。本論文では,使用したモデルは,研究過去エッセイから選び,(ZBNNR)5-(ZGNR)III B_vデバイスのための強磁性状態におけるI-V曲線を調べ,結果は,外部電場で,ヘテロ接合は低バイアスでほぼ完全なスピンフィルタ効果,高い整流比とスピン負性微分抵抗特性のために,分子スピントロニクスにおける有望な多機能デバイスであることを示した。このような現象の機構を提案し,これらの知見は分子スピントロニクスデバイスを開発するための新しい機会を示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強磁性 ,  窒化ホウ素 ,  *ヘテロ接合 ,  スピントロニクス ,  密度汎関数法 ,  スピン分極 ,  機能素子 ,  *ホウ素
準シソーラス用語： 負性微分抵抗 ,  *スピンフィルタ ,  外部電場 ,  非平衡Green関数 ,  輸送特性 ,  *ナノリボン ,  *スピンフィルタリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： BN ,  ほう素 ,  空格子点 ,  増強 ,  スピンフィルタリング ,  設計