文献

J-GLOBAL ID：201702243877349143   整理番号：17A0591707

サブ20nmのNANDフラッシュメモリにおける種々の条件下での保持特性に関する深い理解

Deep Understanding of Retention Characteristics in Various Conditions in Sub 20-nm NAND Flash Memory

著者 (3件)： LEE Kyunghwan (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Myounggon (Korea National Univ. Transportation, Chungbuk, KOR) ,  SHIN Hyungcheol (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3155-3159  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 記憶素子に関する開発研究の一環として,本論文では,NANDフラッシュメモリについて,種々の条件下での保持特性を報告した。活性化エネルギー(E_aa)の誤解に起因する重大な誤差を回避するため,著者らは,サブ20nmNANDフラッシュメモリについて,E_aaを抽出し,異常な保持特性を調べた。その結果に基づいて,1)全電荷損失に対する支配的機構の寄与率は,温度について不均一挙動を示すこと,2)高温では,界面トラップ回復機構が支配的であるが,低温では,トラップ支援トンネリングが支配的になること,などを記した。

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *保持容量 ,  *保持時間 ,  *ナノ構造 ,  活性化エネルギー ,  Arrheniusの式
準シソーラス用語： *NANDフラッシュメモリ

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブ ,  NANDフラッシュメモリ ,  保持特性 ,  理解