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J-GLOBAL ID：201702244014650162   整理番号：17A0046667

金属-層間-半導体ソース/ドレインによるランダムドーパント変動誘起閾値電圧変動免疫性Ge FinFET

Random Dopant Fluctuation-Induced Threshold Voltage Variation-Immune Ge FinFET With Metal-Interlayer-Semiconductor Source/Drain

著者 (8件)： Shin Changho (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Kim Jeong-Kyu (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Kim Gwang-Sik (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Lee Hyunjae (School of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul, South Korea) ,  Shin Changhwan (School of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul, South Korea) ,  Kim Jong-Kook (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Cho Byung Jin (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Yu Hyun-Yong (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 11  ページ： 4167-4172  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メタルベースのn型ゲルマニウム(Ge)FinFETの性能に及ぼすプロセス誘起ランダムドーパント変動(RDF)誘起閾値電圧の影響は,3-D TCADシミュレーションを用いて層間-半導体(MIS)ソース/ドレイン(S/D)構造を調べた。RDF誘起のV_th変動を減少させるために,高濃度にドープされたn型酸化亜鉛(ZnO)層間を有するMIS S/D構造がGeのS/D領域で使用されるFinFET。したがって,性能劣化がないと,MIS S/D構造を有するGe FinFETは,(MIS S/D構造を用いない場合と比較して)RDF誘導のV_th変動の約3倍の減少を達成する。RDF誘導V_th変動に対する様々なフィンパラメータ(すなわち,フィン高さおよびフィン幅)の影響も調査される。フィン高さ(フィン幅)が増加(減少)するにつれて変化が抑制されることは注目に値する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  *フィン ,  *ドーパント ,  *電圧変動 ,  *CMOS ,  N型半導体 ,  CAD【計算機】 ,  シミュレーション ,  *MIS構造 ,  *ソース【半導体】 ,  *ドレイン【半導体】 ,  酸化亜鉛 ,  電流電圧特性 ,  短チャネル効果
準シソーラス用語： *FinFET ,  ランダムドーパント変動 ,  *閾値電圧変動 ,  TCAD ,  DIBL

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ソース ,  ドレイン ,  ドーパント ,  誘起 ,  閾値電圧 ,  Ge ,  FinFET