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J-GLOBAL ID：201702244150697267   整理番号：17A0607010

STM/STSからみたCeColn₅薄膜における近藤ホールの電子状態 II

著者 (9件)： 土師将裕 (京大 大学院) ,  鳥井陽平 (京大 大学院) ,  HUANG Wen-Kai (京大 大学院) ,  笠原成 (京大 大学院) ,  笠原裕一 (京大 大学院) ,  寺嶋孝仁 (京大 大学院) ,  芝内孝禎 (東大) ,  花栗哲郎 (理研 CEMS) ,  松田祐司 (京大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 1  ページ： ROMBUNNO.17pH11-4  発行年： 2017年03月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *セリウム化合物 ,  *コバルト化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *MBE成長 ,  薄膜成長 ,  *不純物 ,  *電子状態 ,  *構造 ,  *亜鉛 ,  *ドーピング ,  顕微鏡観察 ,  スペクトロスコピー ,  干渉 ,  *非磁性不純物 ,  *Kondo不純物 ,  *局所構造 ,  準粒子干渉 ,  走査型トンネル顕微鏡法 ,  走査トンネル電子分光法
準シソーラス用語： 走査型トンネル顕微鏡観察 ,  走査型トンネル分光

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： STM ,  STS ,  薄膜 ,  ホール ,  電子状態