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J-GLOBAL ID:201702244615099425   整理番号:17A0055456

nanocrystal/III N LEDプラットホームに基づくハイブリッドオプトエレクトロニクス【Powered by NICT】

Hybrid optoelectronics based on a nanocrystal/III-N nano-LED platform
著者 (6件):
資料名:
巻: 2016  号: ASDAM  ページ: 77-80  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ハイブリッドIII窒化物(CdSe nanocrystal/p GaN/MQW/n-GaN/サファイア)に基づくこのナノLEDとDC試験に適しており,高周波数での将来の運転のために設計されたデバイスレイアウトに統合を作製し,試験した。著者らの研究は,垂直統合ナノLEDのエミッタの技術プロセスは劣化効果の兆候をすることなく,長期間運転に適した完全であることの明確な証拠を提供した。この新しい技術は,将来の単一光子に基づくOE回路のための強い可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  集積回路一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
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