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J-GLOBAL ID：201702244823802403   整理番号：17A0375010

再版:ダイヤモンド上のGaNナノワイヤ【Powered by NICT】

Reprint of: GaN nanowires on diamond

著者 (5件)： Hetzl Martin (Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universitaet Muenchen, 85748 Garching, Germany) ,  Schuster Fabian (Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universitaet Muenchen, 85748 Garching, Germany) ,  Winnerl Andrea (Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universitaet Muenchen, 85748 Garching, Germany) ,  Weiszer Saskia (Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universitaet Muenchen, 85748 Garching, Germany) ,  Stutzmann Martin (Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universitaet Muenchen, 85748 Garching, Germany)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55  ページ： 32-45  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド基板上のGaNナノワイヤの最近の研究をレビューし,拡張最近の結果である。プラズマ支援分子ビームエピタクシーを用いた自己組織化と選択領域成長機構の両方を要約した。成長したままのナノワイヤと同様にドーピング関連問題の構造的および光学的性質を検討し,シリコン基板上のナノワイヤと比較した。pダイヤモンド/n GaNナノワイヤへテロ接合の電子特性をバンド構造シミュレーションによる理論と輸送測定により実験的に検討した。最後に,製作したプロトタイプナノLED素子のエレクトロルミネセンスを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： プラズマ ,  光学的性質 ,  エレクトロルミネセンス ,  MBE成長 ,  *窒化ガリウム ,  光ルミネセンス ,  自己組織化 ,  バンド構造 ,  *ナノワイヤ ,  *ダイヤモンド ,  シミュレーション
準シソーラス用語： シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： Nanowires ,  GaN ,  ダイヤモンド ,  Heteroepitaxy ,  ドーピング ,  光ルミネセンス ,  エレクトロルミネセンス

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 再版 ,  ダイヤモンド ,  GaN ,  ナノワイヤ