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J-GLOBAL ID：201702244904160088   整理番号：17A0447410

外部バイアス場効果に基づく色素増感太陽電池におけるヒステリシス解析【Powered by NICT】

Hysteresis analysis in dye-sensitized solar cells based on external bias field effects

著者 (4件)： Wu Fan (School of Science and Key Lab of Optoelectronic Materials and Devices, Huzhou University, Huzhou, 313000, China) ,  Li Xiaoyi (School of Science and Key Lab of Optoelectronic Materials and Devices, Huzhou University, Huzhou, 313000, China) ,  Tong Yanhua (Department of Chemistry, Huzhou University, Huzhou, 313000, China) ,  Zhang Tiansheng (School of Science and Key Lab of Optoelectronic Materials and Devices, Huzhou University, Huzhou, 313000, China)
資料名： Journal of Power Sources  (Journal of Power Sources)
巻： 342  ページ： 704-708  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0703B  ISSN： 0378-7753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電流密度-電圧(J V)ヒステリシス現象はペロブスカイト太陽電池として,色素増感太陽電池(DSC)において発生する。が,DSCでほとんど注目されていない。電荷収集効率の捕獲放出誘導変化はJ-Vヒステリシスを引き起こす可能性があると考えられた。,典型的なDSCのJ-V測定中およびそれ以前に外部バイアス場の影響に関する系統的研究を行った。DSCsのJ-V特性は走査バイアス方向と前後測定中の外部バイアス磁場に大きく依存することを見出した。著者らの結果は,DSCにおける外部バイアス磁場変調された電荷注入,トラッピング-脱トラッピング,蓄積プロセスは異常なJ-V挙動の可能な原因であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *太陽電池 ,  *ヒステリシス ,  キャリア注入 ,  電流密度 ,  捕獲 ,  *バイアス ,  電圧 ,  走査
準シソーラス用語： トラッピング ,  バイアス磁場 ,  電荷収集効率 ,  *色素増感太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 色素増感太陽電池 ,  電流-電圧特性 ,  ヒステリシス ,  外部バイアス

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 色素増感太陽電池 ,  ヒステリシス ,  解析