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J-GLOBAL ID:201702244964010949   整理番号:17A0343299

GANベースLEDの高エネルギー電子ビーム効果を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Investigation on the properties of GaN-LED irradiated by high-energy electron beam
著者 (12件):
資料名:
巻: 39  号: 12  ページ: 120503-1-120503-5  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2034A  ISSN: 0253-3219  CODEN: NUTEDL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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GANベース青色発光ダイオード(LED)の光電気特性に及ぼす高エネルギー電子照射の影響を研究した。高エネルギー電子ビームはそれぞれ異なるグループのLEDサンプルに対して照射実験を行い、そして自動測定システムを通じて照射過程中のLEDの電流、光強度、スペクトルピーク波長を測定した。次に,室温での无Fu照環境下で,上記の異なるグループのLEDサンプルを追跡し,比較した。実験結果により、高エネルギー照射はLEDの改質に対して明らかな効果があり、具体的には動作電流と発光パワーの変化時に照射影響の安定性が改善され、スペクトルピーク波長が青方偏移することが分かった。同時に,GANベースのLEDは,照射の間,LEDの電気的性質に及ぼす著しい影響を持った。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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発光素子 
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