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J-GLOBAL ID：201702245398236983   整理番号：17A0280004

CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗特性に及ぼす酸化鉄とMg層挿入の影響【Powered by NICT】

Effects of Fe-Oxide and Mg Layer Insertion on Tunneling Magnetoresistance Properties of CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions

著者 (5件)： Lou Yongle (School of Microelectronics,Xidian University) ,  Zhang Yuming (School of Microelectronics,Xidian University) ,  Guo Hui (School of Microelectronics,Xidian University) ,  Xu Daqing (School of Electrical and Control Engineering,Xi’an University of Science and Technology) ,  Zhang Yimen (School of Microelectronics,Xidian University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 11  ページ： 118501-1-118501-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル磁気抵抗(TMR)に及ぼすCoFeB/MgO界面の影響を研究するために,磁気トンネル接合(MTJ)の異なる構造を成功裏にマグネトロンスパッタリング法で調製し,原子間力顕微鏡,物理特性測定システム,X線光電子分光法,および透過型電子顕微鏡によりキャラクタライズした。実験結果は,挿入したMg層はCoFeB/MgO界面,CoFeB/MgO/CoFeB MTJで生じるでFe酸化物形成を防ぐためCoFeB/Mg/MgO/CoFeB構造のTMRは,CoFeB/MgO/CoFeB構造と比較して明らかに改善されることを示した。CoFeB/MgO/CoFeB,CoFeB/Fe oxide/MgO/CoFeBとCoFeB/Mg/MgO/CoFeB MTJの固有特性を密度関数と非平衡Green関数の理論を用いてシミュレーションした。シミュレーション結果はCoFeB/Fe oxide/MgO/CoFeB MTJsのTMRは著しく減少し,CoFeB/Mg/MgO/CoFeB MTJの値の半分だけであることを示した。実験結果と理論解析に基づいて,CoFeB/MgO/CoFeB MTJにおける,CoFeB層の界面酸化は,TMRの顕著な減少を引き起こす主要な理由であり,挿入されたMg層は酸化からのFe原子を保護し,TMRの増加に重要な役割を果たしている可能性があると信じられている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化マグネシウム ,  計測システム ,  界面 ,  *鉄 ,  X線光電子分光法 ,  *酸化鉄 ,  マグネトロンスパッタリング ,  透過型電子顕微鏡 ,  *マグネシウム ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： 理論解析 ,  非平衡Green関数 ,  密度関数 ,  *トンネル磁気抵抗 ,  *磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 研究 ,  影響 ,  CoFeB/MgO

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (5件)： MgO ,  磁気トンネル接合 ,  トンネル磁気抵抗 ,  酸化鉄 ,  Mg