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J-GLOBAL ID：201702245492903716   整理番号：17A0705615

機械的に剥離したGaTeとInGaZnO p-nヘテロ接合に基づく透明太陽電池【Powered by NICT】

A transparent solar cell based on a mechanically exfoliated GaTe and InGaZnO p-n heterojunction

著者 (6件)： Cho Ah-Jin (School of Integrated Technology, Yonsei University, Incheon, 21983, Korea. [e-mail]) ,  Park Kyung ,  Park Solah ,  Song Min-Kyu ,  Chung Kwun-Bum ,  Kwon Jang-Yeon
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 17  ページ： 4327-4334  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料は,種々の電子及び光電子デバイスへの応用のためのそれらの独特な性質と可能なことが知られている。2D半導体は,層間の弱い結合を持っているので,それらは,それらの特性を維持するいくつかのナノメータ厚さの層に容易に分離できる。GaTeは直接バンドギャップを持つp型2次元半導体である。多層GaTeと薄膜IGZOを組み合わせることにより,著者らはp-nヘテロ接合,オプトエレクトロニクス素子の基本単位を作製した。本論文では,2D材料を用いた最初の完全に透明な太陽電池,GaTe/IGZOヘテロ構造を提案した。デバイスは~90%の高い透明度と37%のフィルファクタを伴い,0.73%の効率を示した。周期光パルスの下での光キャリアの瞬間的発生を示した。動作機構のさらなる解析は,そのバンドアラインメントを研究することによって行った。GaTe/IGZO太陽電池の透明度はその比較的低い効率を克服することができ,それは,はるかに大きなスケールに設置でき,発生電力の全量は従来の太陽電池のそれを上回るであろう。さらに,GaTeの大規模成長の進歩は電力変換効率を増強し,最終的に建物一体型太陽光発電システムのための2次元活性層に基づく高度に透明な,薄膜太陽電池の採用を可能にするであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光パルス ,  多層 ,  *ヘテロ接合 ,  半導体 ,  薄膜 ,  *太陽電池 ,  透明度 ,  二次元 ,  活性層 ,  電力
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  電力変換効率 ,  バンドアライメント ,  ヘテロ構造 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (2件)： P-Nヘテロ接合 ,  太陽電池