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J-GLOBAL ID：201702245496049562   整理番号：17A0702824

電極としての直接成長させたグラフェンナノウォールを用いた高速Schottkyヘテロ接合光検出器【Powered by NICT】

High-performance Schottky heterojunction photodetector with directly grown graphene nanowalls as electrodes

著者 (15件)： Shen Jun (Chongqing Key Laboratory of Multi-scale Manufacturing Technology, Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology, Chinese Academy of Sciences, Chongqing, 400714, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liu Xiangzhi ,  Song Xuefen ,  Li Xinming ,  Wang Jun ,  Zhou Quan ,  Luo Shi ,  Feng Wenlin ,  Wei Xingzhan ,  Lu Shirong ,  Feng Shuanglong ,  Du Chunlei ,  Wang Yuefeng ,  Shi Haofei ,  Wei Dapeng
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 18  ページ： 6020-6025  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン-シリコン構造に基づくSchottkyヘテロ接合を高速光検出器に有望である。しかし,既存の製造プロセスは,電極として転写グラフェンを採用し,プロセスの適合性を制限し,金属触媒が汚染を生成した。本報告では,光検出器は電極として直接成長させたグラフェンナノウォール(GNWs)を用いて作製した。金属を含まない成長過程に起因して,3.1fA Hz~ 1/2の超低測定電流雑音を持つGNWs Siヘテロ接合が得られ,調製されたままの光検出器は,周囲条件下で測定し,計算した雑音電流のそれぞれに基づく5.88×10~13cm Hz~1/2W~ 1と2.27×10~14cm Hz~1/2W~ 1の特異的検出能を実証した。これらは平面シリコンSchottky光検出器のための報告された最高の値である。さらに,オン/オフ比2×10~7の40μsの時間応答,カットオフ周波数8.5kHzと応答性0.52A W~ 1が同時に実現した。超低電流雑音は0.69eVの障壁高さおよび1.18の理想因子を持つ優れた接合品質に起因している。さらに,黒体試験で観察される明らかな赤外光応答,光熱電子効果に基づく潜在的な応用を議論した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 雑音 ,  *光検出器 ,  遮断周波数 ,  金属触媒 ,  *電極 ,  電流 ,  *グラフェン ,  応答特性 ,  *高速度 ,  生産工程 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： 光応答 ,  理想因子 ,  障壁高さ ,  電流雑音 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 成長 ,  ヘテロ接合 ,  光検出器