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J-GLOBAL ID：201702245528417174   整理番号：17A0095287

4インチシリコンベースGAN発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

4 Inch Silicon-Substrate GaN Light-Emitting Diodes

著者 (6件)： Yuan Fengpo (The 13th Research Institute, CETC) ,  Liu Bo (The 13th Research Institute, CETC) ,  Yin Jiayun (The 13th Research Institute, CETC) ,  Wang Bo (The 13th Research Institute, CETC) ,  Wang Jinghui (The 13th Research Institute, CETC) ,  Tang Jingting (The 13th Research Institute, CETC)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 8  ページ： 610-614  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 4インチ(1インチ=2.54CM)シリコン(111)基板上に金属有機物化学蒸着(MOCVD)法を用いて,4ΜM厚さの無亀裂GANGANを成長させた。これに基づき,全構造の発光ダイオード(LED)層を成長させた。GANエピ層の応力とエピタキシャル層の結晶品質をRAMANスペクトルと双晶回折によって特性評価した。GANの喇曼譜峰は568.16CM(-1)であり,表面の圧縮応力は0.164GPAであり,GANエピタキシャル層が受ける圧縮応力は小さいので,ALGAN層の挿入後にエピ層の応力が解放されることを示した。双晶回折試験により,GAN Ω(002)の半値全幅が320ARCSECであることを示した。さらに,チップのサイズは353535 (1MIL=2.54×10(-3)CM)であり,白色LEDチップにカプセル化した後,350MAでの発光効率は161.1Wに達した。ターンオン電圧は3.095V,発色指数は71であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  MOCVD ,  圧縮応力 ,  双晶 ,  FWHM ,  *発光ダイオード ,  発色 ,  回折 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： ターンオン電圧 ,  発光効率 ,  白色LED ,  結晶品質 ,  エピタキシャル層 ,  シリコン(111) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN ,  quantum well ,  light-emitting diode (LED) ,  metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) ,  Raman spectrum

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  GaN ,  発光ダイオード