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J-GLOBAL ID：201702245553429588   整理番号：17A0403069

n型4H-SiC MOSキャパシタの界面特性に及ぼす酸化温度の影響【Powered by NICT】

Influence of oxidation temperature on the interfacial properties of n-type 4H-SiC MOS capacitors

著者 (10件)： Jia Yifan (School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China) ,  Lv Hongliang (School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China) ,  Song Qingwen (School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China) ,  Song Qingwen (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Tang Xiaoyan (School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China) ,  Xiao Li (Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation, Shenzhen 518057, China) ,  Wang Liangyong (Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation, Shenzhen 518057, China) ,  Tang Guangming (Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation, Shenzhen 518057, China) ,  Zhang Yimen (School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Yuming (School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 397  ページ： 175-182  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型4H-SiC金属-酸化物-半導体キャパシタの界面特性に及ぼす酸化温度の影響を系統的に調べた。三つの異なる酸化温度1200°C,1300°Cと1350°Cの熱乾燥酸化過程が1175°C2時間で雰囲気中SiO_2誘電,標準後酸化によるその後のアニーリング(POA)を成長させるために採用した。POAプロセスの前に熱的に成長させたSiO_2のための原子間力顕微鏡により測定した二乗平均平方根(RMS)粗さは酸化温度を増加させ,1350°Cで酸化した試料から0.157nmのRMSを持つ原子的に平坦な表面を得るとともに減少するいくつかの種類の電気的測定は試料のための近界面トラップと実効固定誘電電荷の密度を評価するために用い,酸化温度の増加と共に減少傾向を示した。伝導帯端から0.2eVで3×10~11cm~ 2eV~ 1の界面状態密度は1350°Cで酸化した試料のためのコンダクタンス法測定から達成された。二次イオン質量分光法とX線光電子分光法からの結果は,高い酸化温度は遷移層,過剰Siとシリコン亜酸化物組成界面近傍の幅を減少させ,界面特性の効果的な改善につながる可能性があることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷 ,  伝導バンド ,  表面準位 ,  *炭化ケイ素 ,  焼なまし ,  X線光電子分光法 ,  *酸化 ,  コンダクタンス ,  原子間力顕微鏡 ,  *コンデンサ
準シソーラス用語： *MOSコンデンサ ,  界面状態密度 ,  界面トラップ ,  *界面特性 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 4H-SiC MOSキャパシタ ,  熱酸化温度 ,  界面特性 ,  効果的な固定誘電電荷 ,  近界面トラップ ,  界面状態

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  MOSキャパシタ ,  界面特性 ,  酸化