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J-GLOBAL ID：201702245692597465   整理番号：17A0482469

パラジウムインターカレーションによりSiC(0001)上に成長させたエピタキシャルグラフェンの中性化

Neutralization of an epitaxial graphene grown on a SiC(0001) by means of palladium intercalation

著者 (5件)： Yagyu Kazuma (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Fukuoka 814-0180, Japan) ,  Takahashi Kazutoshi (Synchrotron Light Application Center, Saga University, 1 Honjo, Saga 840-8502, Japan) ,  Tochihara Hiroshi (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Fukuoka 814-0180, Japan) ,  Tomokage Hajime (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Fukuoka 814-0180, Japan) ,  Suzuki Takayuki (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Fukuoka 814-0180, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 13  ページ： 131602-131602-5  発行年： 2017年03月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *グラフェン ,  エピタクシー ,  炭化ケイ素 ,  *インターカレーション ,  薄膜成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子スペクトル ,  エネルギー散逸 ,  パラジウム ,  中性化

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： パラジウム ,  インターカレーション ,  SiC ,  成長 ,  エピタキシャルグラフェン ,  中性化