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J-GLOBAL ID：201702245773456052   整理番号：17A0473277

金属前駆体の高速大気カルコゲン化によって処理されたCu(In,Ga)(S,Se)_2吸収体層における硫黄分布と対応するバンドギャップ勾配【Powered by NICT】

Investigating sulfur distribution and corresponding bandgap grading in Cu(In,Ga)(S,Se)₂ absorber layers processed by fast atmospheric chalcogenization of metal precursors

著者 (9件)： Kodalle T. (PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, Germany) ,  Schmidt S.S. (PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, Germany) ,  Wolf C. (PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, Germany) ,  Greiner D. (PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, Germany) ,  Bloeck U. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Schubert-Bischoff P. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Kaufmann C.A. (PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, Germany) ,  Schlatmann R. (PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Schwarzschildstrasse 3, 12489 Berlin, Germany) ,  Schlatmann R. (Hochschule fuer Technik und Wirtschaft Berlin, Treskowallee 8, 10318 Berlin, Germany)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 703  ページ： 600-604  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池用のCu(In,Ga)(S,Se)2吸収体層の光学活性バンドギャップと元素深さプロファイリングにより決定した最小バンドギャップ間の顕著な不一致は,この研究で観察された。この挙動は,金属前駆体のセレン化後硫化により成長させた連続吸収体で生じ,実証し,以下に調べ,グロー放電光学発光分光法,外部量子効率とRaman散乱を使用することである。さらにこの不整合は,透過型電子顕微鏡を用いた微視的元素分布を調べることにより説明した。が判明した,硫黄であり,微視的スケールでの-吸収体バルク内の不均一分布と吸収体表面それ自身近傍域と内部表面,例えばバルク中のボイドでのみ存在する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  硫化 ,  *高速度 ,  Raman散乱 ,  グロー放電 ,  *吸収体 ,  不整合 ,  発光分光法 ,  *硫黄 ,  太陽電池 ,  透過型電子顕微鏡 ,  深さプロフィル ,  薄膜太陽電池
準シソーラス用語： 外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Semiconductors ,  薄膜 ,  原子スケール構造 ,  組成ゆらぎ ,  光学的性質 ,  光伝導率および太陽電池

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： 前駆体 ,  大気 ,  カルコゲン ,  Cu ,  Ga ,  Se ,  硫黄 ,  分布 ,  バンドギャップ ,  勾配