文献

J-GLOBAL ID：201702245860873909   整理番号：17A0203780

AlGaN/GaNH EMTにおけるゲート漏れ電流の改良モデル【Powered by NICT】

Modified model of gate leakage currents in AlGaN/GaN HEMTs

著者 (7件)： Wang Yuangang (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Feng Zhihong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Lv Yuanjie (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Tan Xin (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Dun Shaobo (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Fang Yulong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Cai Shujun (Hebei Semiconductor Research Institute)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 10  ページ： 107106-1-107106-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート漏れ電流は,Frenkel-Poole放出(FPE)モデルにより記述され,250より高い温度であることが報告されている。しかし,不動態化した素子のゲート漏れ電流は,FPEモデルと一致しない。修飾FPEモデルは,さらにゲート(I(II)),付加的な漏れ電流を添加した開発した。異なる不動態化試料に基づいて,多数の表面トラップのIIIは全ゲート電流から分離し,(φ_B V_g)~(0.5)に関して線形であることが分かった。FPEモデルからのこれらと比較して,修正モデルからの計算結果は,295Kから475Kの温度範囲でI_g V_g測定とよく一致した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 線形性 ,  不動態化 ,  *漏れ電流
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  ゲート電流 ,  *ゲート漏れ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ゲート漏れ電流 ,  FPEモデル ,  付加的な漏れ電流 ,  表面トラップ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  EMT ,  ゲート漏れ電流 ,  モデル