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J-GLOBAL ID：201702246129476481   整理番号：17A0138097

双晶から純閃亜鉛鉱型結晶へ無触媒InAs(Sb)ナノワイヤ

From Twinning to Pure Zincblende Catalyst-Free InAs(Sb) Nanowires

著者 (9件)： POTTS Heidi (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  FRIEDL Martin (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  AMADUZZI Francesca (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  TANG Kechao (Stanford Univ., California, USA) ,  TUETUENCUEOGLU Goezde (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  MATTEINI Federico (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  LLADO Esther Alarcon (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  MCINTYRE Paul C. (Stanford Univ., California, USA) ,  MORRAL Anna Fontcuberta i (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 16  号： 1  ページ： 637-643  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V半導体であるInAs及びInSbのナノワイヤは次世代素子のための低いバンドギャプと高い電子移動度が期待されるが,それらの物理的性質の制御で鍵となるのは構造,形態及び組成の精密な制御である。ここではGaAs基板上に無触媒下のMBE成長により六角形の断面を持ち,軸に沿うテーパー形状は示さない種々のSb含有量(x≦0.35)のInAs_1-xSb_xナノワイヤを成長した。結晶構造をHRTEMより研究し,x≧0.25においてμm当たりの積層欠陥及び双晶欠陥が数個の水準の閃亜鉛鉱型結晶の成長を達した。これらの結果は,III-Vナノワイヤの積層欠陥と結晶多型の低減に対するSbの一般的な傾向を合成方法に関わりなく示している。EDXはInAs_1-xSb_xナノワイヤの軸方向の一様なSbの分布を示し,断面EDXにより初めてナノワイヤのシェルの僅かに低いSb含有量とコーナーにおける反偏析を観測し,動径方向の過成長によりナノワイヤ径が増加することを示した。このナノワイヤによるFETとRaman分光によりInAs_1-xSb_xナノワイヤの電子特性を調べ,Sbの含有が電気伝導率と移動度を増大させることを見出した。さらにALDによる高品質のAl₂O₃ゲート膜を配したトップゲートFETはナノワイヤの性質を劣化させずにより良いゲート制御と低い電流ドリフトを示した。Raman分光は移動度及び電荷密度の両方が三元のアンチモン化ナノワイヤで増加することを示した。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  化合物半導体 ,  *アンチモン化物 ,  *インジウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  *結晶成長 ,  MBE成長 ,  化学反応 ,  欠陥密度 ,  結晶構造 ,  *化学組成 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  Raman分光分析
準シソーラス用語： EDX分析 ,  HRTEM ,  III-V族半導体 ,  *ヒ化アンチモン化インジウム ,  無触媒反応

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 双晶 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  触媒 ,  InAs ,  Sb ,  ナノワイヤ