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J-GLOBAL ID：201702246163923905   整理番号：17A0260624

四段階法により高品質ケイ素基板を調製した。【JST・京大機械翻訳】

Four-step Method for Growing High-quality GaAs Films on Si Substrate by Molecular Beam Epitaxy

著者 (5件)： Liu Guangzheng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Bo (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Ye Xiaoling (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Fengqi (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Zhanguo (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 31  号： 11  ページ： 1263-1268  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板上のエピタキシャルGAAS薄膜の品質と実験の再現性を向上させるために,低温バッファ層と高温バッファ層の間に低温バッファ層と高温バッファ層を挿入することにより,四段階成長法と呼ばれる新しい方法を提案した。この方法により,表面に単一ドメイン構造があり,強い白色光下では光沢が低く,粗さが低く,欠陥の少ない高品質GAAS薄膜が調製でき,この方法の再現性が良好であった。成長後のアニーリング処理がなくても,エピタキシャルの1ΜM厚のGAAS薄膜は5ΜM×5ΜMの走査領域での表面粗さは2.1NMであり,X線回折により測定したガリウム(004)ピークの半値全幅は210.6 ARCSECであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査 ,  再現性 ,  エピタクシー ,  X線回折 ,  低温 ,  白色光 ,  薄膜 ,  FWHM ,  バッファ層 ,  焼なまし ,  *品質 ,  高温
準シソーラス用語： 単分域 ,  *シリコンウエハ ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaAs/Si ,  four-step growth ,  buffer layer ,  MBE (molecular beam epitaxy)

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 段階 ,  高品質 ,  ケイ素基板 ,  調製