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J-GLOBAL ID：201702246193852195   整理番号：17A1138386

光学顕微鏡マニピュレーションによるSi(111)上InGaAs単一microdiscの電流電圧特性評価

著者 (6件)： 渡邉冬馬 (東大 工) ,  石田丈 (東大 生産技研) ,  岩本敏 (東大 生産技研) ,  荒川泰彦 (東大 生産技研) ,  中野義昭 (東大 工) ,  杉山正和 (東大 先端科学技研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5a-C21-9  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光学顕微鏡法 ,  操作 ,  ケイ素 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *円板 ,  *電流電圧特性 ,  *ナノ構造 ,  二酸化ケイ素 ,  パターン形成 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  赤外検出器 ,  選択成長
準シソーラス用語： マニピュレーション ,  *微小円板

分類 (4件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光学顕微鏡 ,  マニピュレーション ,  Si ,  InGaAs ,  電流電圧特性 ,  評価