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J-GLOBAL ID：201702246590695078   整理番号：17A0414387

GaNH EMTの利得-周波数プロットにおけるキンク解析とモデルへの極-零点アプローチ【Powered by NICT】

Pole-Zero Approach to Analyze and Model the Kink in Gain-Frequency Plot of GaN HEMTs

著者 (4件)： Aamir Ahsan Sheikh (Department of Electrical Engineering, IIT Kanpur, Kanpur, Nanolab, India) ,  Ghosh Sudip (Department of Electrical Engineering, IIT Kanpur, Kanpur, Nanolab, India) ,  Khandelwal Sourabh (Department of Science and Engineering, Macquarie University, Sydney, NSW, Australia) ,  Chauhan Yogesh Singh (Department of Electrical Engineering, IIT Kanpur, Kanpur, Nanolab, India)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 3  ページ： 266-268  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らはマイクロ波トランジスタ,特に窒化ガリウム(GaN)で観察された短絡電流利得(h_21)のBodeプロットEMTにおけるキンク効果(KE)理解へ向けての新規なアプローチを提案した。KEの起源を関心の周波数で複素共役極の,外因性寄生インダクタンスとデバイス固有元素との相互作用のために導入された,静電容量と相互コンダクタンスのようなの存在と,キンクの挙動を支配する単純化した数学的表現を開発した。KEを捉えることができ,広く多重バイアス条件下でGaNデバイスの測定データに対してモデルを検証し,それによってモデルの強い物理的背景を支持することを物理学に基づくコンパクトモデルを提示した。KEのために開発された数学的仮説に基づくキンク上の小信号モデルの種々の要素の影響を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： マイクロ波トランジスタ ,  *周波数 ,  簡素化 ,  窒化ガリウム ,  *キンク ,  短絡電流 ,  静電容量 ,  *零点 ,  バイアス ,  共役 ,  *利得 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： 小信号モデル ,  コンパクトモデル ,  寄生インダクタンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電波伝搬一般  (ND05010Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： EMT ,  利得 ,  プロット ,  キンク ,  解析 ,  モデル ,  極