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J-GLOBAL ID:201702246655439196   整理番号:17A0214315

自動車への応用のための埋込みフラッシュ技術【Powered by NICT】

Embedded flash technology for automotive applications
著者 (4件):
資料名:
巻: 2016  号: IEDM  ページ: 28.6.1-28.6.4  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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より高い燃料効率エンジンと先進的運転者支援システム(ADAS)は,自動車マイクロコントローラ(MCU)のための埋め込まれたフラッシュ(組み込みフラッシュ(eFlash))技術の更なる進展を必要とする。組み込みフラッシュ(eFlash)の連続的進化は単一ppmレベルの低い破壊比と過酷な動作条件下で高い性能を持つ優れた信頼性のための自動車の要求を満たしていた。特に独自の流出ゲートMONOS(SG MONOS)は90nmプロセスノード以降自動車MCUのための世界初の最も最先端の組み込みフラッシュ(eFlash)をリードしてきた,既に28nmまでを,その優れた信頼性とプロセススケーラビリティのためにされている。さらに薄型SG MONOSのゲート研磨構造は高い性能と電力効率の良い高K金属ゲート(HKMG)CMOSトランジスタの実行を可能にし,一方,従来の積層浮遊ゲートフラッシュはほとんど適用できた。自動車フラッシュMCUのための組み込みフラッシュ(eFlash)の収束候補として,SG MONOSは将来の世界の主要環境に優しい車(green vehicleと自律駆動時代の実現に貢献することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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走行性能  ,  電装品 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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