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J-GLOBAL ID：201702247044385846   整理番号：17A0407134

La_0 9Sr_0 1MnO_3薄膜の構造的,電気的および磁気的性質の方位依存性【Powered by NICT】

Orientation dependence of structural, electrical and magnetic properties of La_0.9Sr_0.1MnO₃ thin films

著者 (4件)： Yin Lu (State Key Lab of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Wang Chuanbin (State Key Lab of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Shen Qiang (State Key Lab of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Zhang Lianmeng (State Key Lab of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 257-262  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La_0 9Sr_0 1MnO_3薄膜は(100),(110),および(111)LaAlO_3基板上にエピタキシャル成長させ,構造的,電気的および磁気的性質に及ぼす膜方位の影響を調べた。対応するバルク材料と比較して,全ての膜は有意に向上したCurie温度をもつ室温付近で金属-絶縁体転移を示した。膜の面内圧縮歪,保磁力,電気抵抗率と磁気抵抗(MR)は,(100)<(110)<(111)増加した。が膜の常磁性-強磁性転移温度(T)と金属-絶縁体転移温度(T)は,(111)<(110)<(100)増加した。これらの結果は,MnO_6八面体の格子歪は膜の配向,La_0 9Sr_0 1MnO_3膜の構造的,電気的および磁気的性質を調整する有効な経路を制御することによって調整できることを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 転移温度 ,  金属-絶縁体転移 ,  磁気抵抗 ,  絶縁材料 ,  常磁性 ,  八面体 ,  保磁力 ,  強磁性 ,  Curie温度 ,  格子歪 ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  *方向依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： La_0 9Sr_0 1MnO_3薄膜 ,  膜配向 ,  電気輸送特性 ,  磁気抵抗

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  電気的および磁気的性質 ,  方位依存性