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J-GLOBAL ID：201702247211859562   整理番号：17A0375447

コールドウォール反応器を用いた銅箔上の化学蒸着による二層グラフェンの制御可能な高速合成【Powered by NICT】

Controllable and fast synthesis of bilayer graphene by chemical vapor deposition on copper foil using a cold wall reactor

著者 (12件)： Mu Wei (SMIT Center, School of Mechanical Engineering and Automation, Institute of NanoMicroEnergy, Jiading Campus, Shanghai University, 201800 Shanghai, China) ,  Mu Wei (Electronic Materials and Systems Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, 412 96 Gothenburg, Sweden) ,  Fu Yifeng (Electronic Materials and Systems Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, 412 96 Gothenburg, Sweden) ,  Fu Yifeng (SHT Smart High Tech AB, Aschebergsgatan 46, 411 33 Gothenburg, Sweden) ,  Sun Shuangxi (SMIT Center, School of Mechanical Engineering and Automation, Institute of NanoMicroEnergy, Jiading Campus, Shanghai University, 201800 Shanghai, China) ,  Sun Shuangxi (Electronic Materials and Systems Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, 412 96 Gothenburg, Sweden) ,  Edwards Michael (Electronic Materials and Systems Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, 412 96 Gothenburg, Sweden) ,  Ye Lilei (SHT Smart High Tech AB, Aschebergsgatan 46, 411 33 Gothenburg, Sweden) ,  Jeppson Kjell (SMIT Center, School of Mechanical Engineering and Automation, Institute of NanoMicroEnergy, Jiading Campus, Shanghai University, 201800 Shanghai, China) ,  Jeppson Kjell (Electronic Materials and Systems Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, 412 96 Gothenburg, Sweden) ,  Liu Johan (SMIT Center, School of Mechanical Engineering and Automation, Institute of NanoMicroEnergy, Jiading Campus, Shanghai University, 201800 Shanghai, China) ,  Liu Johan (Electronic Materials and Systems Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, 412 96 Gothenburg, Sweden)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 304  ページ： 106-114  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二層グラフェンは電気変位場の適用下でバンドギャップの出現によるディジタルデバイス応用にとって魅力的である。化学蒸着による銅上の二層グラフェンの制御可能で迅速な合成は工業的応用の観点から重要なプロセスであると考えられている。,低圧低温壁反応器での化学蒸着による二層グラフェンの成長に及ぼすプロセスパラメータの影響の系統的研究を提示した。本研究では,初期過程段階は特に関心が持たれた。合成に及ぼす水素分圧の影響は,従来の管状石英CVDで見られるものとは反対を完全にすることを見出した。H_2/CH_4比もその原子構造の観点から合成した二層グラフェンの性質に効果的に影響を及ぼすことが判明し,それはAB積層または誤配向である。異なるアニーリングプロセスと組み合わせて,銅箔の異なる前処理を用いて合成プロセスの可制御性を改善する目的で,核形成過程を調べた。核形成活性の分析に基づいて,吸着-拡散と気相浸透を用いて銅箔上での二層グラフェンの合成機構を説明した。合成プロセスを最適化した後,大面積,銅箔の90%までが15分以内に二層グラフェンで覆われていた。全プロセス時間はわずか45分で,低圧冷壁CVD反応器を用いて温度ランプアップ速度およびクールダウンを含む。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *高速度 ,  浸透 ,  低温 ,  *銅箔 ,  核形成 ,  石英 ,  最適化 ,  前処理 ,  プロセスパラメータ ,  バンドギャップ ,  水素 ,  低圧 ,  分圧
準シソーラス用語： 大面積 ,  *二層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二層グラフェン ,  低温壁CVD ,  制御可能で高速 ,  銅 ,  核形成活性

分類 (5件)： 吸着,イオン交換  (XD02060I) ,  吸着剤  (YB03000W) ,  触媒操作  (XE01050T) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  下水,廃水の物理的処理  (SC03040L)

タイトルに関連する用語 (5件)： ウォール ,  反応器 ,  銅箔 ,  化学蒸着 ,  二層グラフェン