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J-GLOBAL ID：201702247244588481   整理番号：17A0325067

脱水したポリ(ビニルアルコール)被覆を用いた可逆的n-ドーピングを用いた高効率で安定なMoS_2FET【Powered by NICT】

Highly efficient and stable MoS₂ FETs with reversible n-doping using a dehydrated poly(vinyl-alcohol) coating

著者 (8件)： Lockhart de la Rosa Cesar J. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium. [e-mail]) ,  Nourbakhsh Amirhasan ,  Heyne Markus ,  Asselberghs Inge ,  Huyghebaert Cedric ,  Radu Iuliana ,  Heyns Marc ,  De Gendt Stefan
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 1  ページ： 258-265  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年の2D二硫化モリブデン(MoS_2)研究の急速な進歩にもかかわらず,MoS_2電界効果トランジスタ(FET)は依然として高い金属へMoS_2接触抵抗と低い固有移動度,それらの将来の応用に対する主要な障害であるに悩まされている。ポリ(ビニルアルコール)(PVA)ポリマ被覆を用いた薄膜MoS_2FETをドープする効率的な方法を報告した。これは30%までだけでなく,チャネル抵抗の減少20Ωsq~ 1による接触抵抗の減少をもたらす。脱水過程を用いて,MoS_2間の表面相互作用とPVAのより陽性ヒドロキシル基( OH),8.0×10~12cm~ 2の値への電荷キャリア密度の制御可能でまだ可逆的増加を効果的に制御することができた。MoS_2の非共有結合,非破壊,PVAドーピングは移動度,単調増加を示す分解ドーピング効果を向上させながら,なしにキャリア濃度を増加させた。PVAドーピング法を用いて固有MoS_2チャネルに高濃度にドープされたアクセス領域を創出するのに利用し,オン状態ドレイン電流の200%の増加が得られた。これは様々な応用のためのMoS_2FETの輸送特性を向上させる有効な方法としてPVAドーピングを確立した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高速度 ,  キャリア密度 ,  *ドーピング ,  接触抵抗 ,  移動度 ,  *ポリビニルアルコール ,  *脱水
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  ドレイン電流 ,  オン状態 ,  ドーピング効果 ,  非共有結合 ,  電荷キャリア ,  二硫化モリブデン ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 脱水 ,  ビニルアルコール ,  ドーピング ,  高効率