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J-GLOBAL ID：201702247282175971   整理番号：17A0829740

光電気化学的応用のための均一黒鉛窒化炭素膜を調製する新しい方法【Powered by NICT】

A new strategy of preparing uniform graphitic carbon nitride films for photoelectrochemical application

著者 (5件)： Lv Xiaowei (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Luoyu Road 1037, Wuhan 430074, PR China) ,  Cao Minglei (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Luoyu Road 1037, Wuhan 430074, PR China) ,  Shi Weina (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Luoyu Road 1037, Wuhan 430074, PR China) ,  Wang Mingkui (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Luoyu Road 1037, Wuhan 430074, PR China) ,  Shen Yan (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Luoyu Road 1037, Wuhan 430074, PR China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 117  ページ： 343-350  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,光電気化学(PEC)応用のための黒鉛状窒化炭素(g CN)膜を堆積の二段階蒸着(TVD)プロセスについて報告した。法はシアナミド,ジシアナミドとメラミン並びに異なる基板を含む種々の単量体に応用できる。単量体の蒸着温度と量の役割を詳細に調べた。構造及び表面形態学的研究は均一でピンホールの無いg-CN膜は,この実行可能な方法で達成できることを示唆した。水溶液電解質中のアノード分極による光誘起酸素発生はジシアナミドを用いて調製したg-CN膜のための63μA cm~ 2の光電流密度をもたらす。これは犠牲試薬を用いずに1.23V(対可逆水素電極)のバイアスで元のg-CN光アノードについては今までで最高の値である。良好な性能は,単量体の量の増加と共に膜/電解質界面での増強された光収穫と減少した電荷移動抵抗に起因すると考えられる。TVDの戦略は,種々の光電子場における光活性材料として適用するもう1つの段階をg-CNをもたらした。さらに,この方法はまたPEC特性をさらに向上させるために適切な基板を選ぶことによってTVD過程の第二段階中のヘテロ接合の合成に容易に拡張できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  酸素発生 ,  *光電気化学 ,  水溶液 ,  単量体 ,  *グラファイト ,  電解質 ,  蒸着 ,  電流密度 ,  *窒化 ,  界面 ,  シアナミド
準シソーラス用語： 光アノード ,  表面形態 ,  *窒化炭素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  触媒操作  (XE01050T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電気化学 ,  応用 ,  黒鉛 ,  窒化 ,  炭素膜 ,  調製