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J-GLOBAL ID：201702247340156970   整理番号：17A0275648

サブns分解能,任意のゲート抵抗パターンを用いた能動ゲート駆動を用いたGaN橋下肢における振動の低減【Powered by NICT】

Reduction of oscillations in a GaN bridge leg using active gate driving with sub-ns resolution, arbitrary gate-resistance patterns

著者 (8件)： Dymond Harry C. P. (Faculty of Engineering, University of Bristol, UK) ,  Liu Dawei (Faculty of Engineering, University of Bristol, UK) ,  Wang Jianjing (Faculty of Engineering, University of Bristol, UK) ,  Dalton Jeremy J. O. (Faculty of Engineering, University of Bristol, UK) ,  McNeill Neville (Faculty of Engineering, University of Bristol, UK) ,  Pamunuwa Dinesh (Faculty of Engineering, University of Bristol, UK) ,  Hollis Simon J. (Faculty of Engineering, University of Bristol, UK) ,  Stark Bernard H. (Faculty of Engineering, University of Bristol, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アクティブゲート駆動パワーエレクトロニクス回路におけるEMI(電磁干渉)を低減する機会を提供する。MOSゲートシリコンパワー半導体デバイスに対して実証されているが,ワイドバンドギャップデバイスで報告された先進ゲート駆動デバイススイッチング遷移中の単一インピーダンス変化に限られている。初めて本論文では,GaNデバイスに必要なサブナノ秒分解能での多点ゲート信号プロファイリングを示した。高速プログラマブル活性ゲートドライバは,任意のゲートプルアップとプルダウン耐性プロファイルを実現する統合高速メモリと出力段で実現した。公称抵抗範囲は120μΩ64Ωであり,インピーダンス変化のタイミング分解能は150psであった。このドライバーは,同期バックコンバータを表す1MHz GaN橋脚に使用されている。ゲート電圧プロファイルはナノ秒のスケールで積極的に操作できることを実証した。制御デバイスのゲート電圧過渡現象の最初の5nsプロファイリングにより,スイッチノード電圧振動の減少が観察され,400MHzと1.8GHzの間のスペクトルパワーの8~16dB低減をもたらしていることが観察された。これはスイッチング損失の増加無しで生じた。スペクトルパワーのわずかな増加は,320MHz以下で見られる。比較のためのベースラインとして,GaN橋脚を,固定したゲート駆動力によって動作する。p型ゲートGaNH FETは積極的に制御可能な,EMIはスイッチング損失を増加させることなく減少させることができると結論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 過渡現象 ,  高速度 ,  電磁干渉 ,  駆動力 ,  インピーダンス ,  *窒化ガリウム ,  ナノ秒 ,  スイッチング損失 ,  スイッチング ,  パワーエレクトロニクス ,  *分解能
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  バックコンバータ ,  プロファイリング ,  駆動装置 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  分解能 ,  ゲート抵抗 ,  ゲート ,  GaN ,  下肢